Однокаскадный МШУ для core-chip X-диапазона
на основе 0.25 GaAs pHEMT технологии
АО "Светлана-Рост" (г. Санкт-Петербург)
Основные требования к характеристикам МШУ
Диапазон частот: 8-12 ГГц
Коэффициент усиления, не менее: 10 дБ
Коэффициент шума, не более: 2.5 дБ

Исходные данные по технологии
Версия PDK: pHEMT025D_v.0.0.0.2

Результаты синтеза
Количество запусков синтеза: 5
Время одного запуска, не более: 10 мин
Общее количество решений, удовлетворяющих основным требованиям: 35
Выбранное пользователем схемотехническое решение
Характеристики выбранного решения
Диапазон частот: 8-12 ГГц
Коэффициент усиления, не менее: 10.3 дБ
Коэффициент шума, не более: 2.2 дБ
Коэффициент отражения по входу, не более: -17 дБ
Коэффициент отражения по выходу, не более: -13 дБ
Коэффициент устойчивости, не менее: 1

Дополнительная параметрическая оптимизация не проводилась
Дополнительные характеристики
Вых. мощность при компрессии коэффициента усиления на 1 дБ, не менее: 15.5 дБм
Напряжение питания: 5 В
Напряжение смещения: -0.6 В
Ток потребления: 60 мА

Приложение
1. Частотные характеристики устройства: s2p-файл
Значения параметров элементов схемы приведены в комментариях внутри s2p-файла
+7 (923) 408-04-08
info@50ohm.tech
Томск, Россия

© 2016-2024 50ohm Technologies

Все материалы сайта (включая графические материалы) принадлежат компании 50ohm Tecnhologies. Любое использование информации о компании и продуктах только при предварительном согласии правообладателя.
Продукты и решения
Услуги
Язык
Исследования осуществляются при грантовой поддержке Фонда «Сколково»