Smart HEMT Modeling
Плагин NI AWR Design Environment для быстрого построения точных малосигнальных моделей транзисторов
Малосигнальные модели транзисторов имеют множество применений — они дают представление о физике работы прибора, помогают анализировать его характеристики, позволяют сравнить возможности разных производителей, являются этапом построения большесигнальных и шумовых моделей, а также используются при проектировании СВЧ МИС. Однако построение моделей вручную может стать трудоемким процессом, поскольку имеются множество подходов и тонкостей экстракции параметров. Даже если удалось построить требуемую модель, задача экстракции параметров для большого числа транзисторов и дальнейшего импорта их в САПР может занять значительное время.

Плагин Smart HEMT Modeling решает эти проблемы:
— одновременно строит модели pHEMT транзисторов в разных рабочих точках по измеренным S-параметрам;
— экспортирует построенные модели в виде схемы и набора выражений в NI AWR Design Environment;
— автоматически создаёт графики и наборы целевых функций внутри САПР для визуальной оценки точности модели и возможной дооптимизации средствами NI AWR Design Environment.
Стройте модели прямо в САПР
Задачи подбора параметров и тонкой настройки алгоритмов экстракции и оптимизации элементов эквивалентной схемы являются самыми сложными и требуют больше всего времени при построении модели. В плагине Smart HEMT Modeling мы полностью автоматизировали эти операции, а также добавили возможность визуально проверить сходимость результатов измерений и полученной модели. Загрузите S-параметры, запустите построение модели нажатием одной кнопки — и получите построенные модели в САПР.
Постройте модель в одно действие
Как это работает
Чтобы получить набор малосигнальных моделей необходимо выполнить 5 простых шагов:
1
Загрузите S-параметры транзистора в холодных и рабочих режимах
Программа использует несколько файлов для экстракции паразитных и внутренних элементов эквивалентной схемы транзистора
2
Добавьте полученные модели в проект среды AWR
Программа создаст шаблон проекта для построения малосигнальной модели
3
Визуально оцените качество моделей, полученных прямой экстракцией
Для оценки можно посмотреть S-параметры в виде модуля, фазы или комплексного значения на диаграмме Вольперта-Смита
4
Оптимизируйте элементы эквивалентной схемы для повышения точности моделей транзисторов
5
Начните использовать модели в САПР
Малосигнальные эквивалентные схемы транзисторов будут доступны в проекте среды AWR по окончанию работы плагина

Получи демо-версию

Для нас крайне важно знать ваше мнение, чтобы делать наши продукты лучше. Подпишитесь на рассылку новостей по Smart HEMT Modeling и получите установщик продукта бесплатно. Мы будем рады получить от вас отзыв и улучшить продукт.
Получить демо-версию
Для получения ссылки на установщик демо-версии программы, вам необходимо подписаться на нашу рассылку новостей. Не волнуйтесь, письма будут приходить не чаще раза в месяц
Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь c политикой конфиденциальности
Введите свой e-mail
Пожалуйста, введите свой e-mail и наши специалисты свяжутся с вами.
Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь c политикой конфиденциальности
Другие возможности
Подход, использованный в Smart HEMT Modeling, может быть распространен на другие типы моделей транзисторов (масштабируемые по температуре или размеру, шумовые, нелинейные и др.) и других элементов (пассивные, SMD-компоненты). Мы можем разработать решение для построения моделей элементов, которые нужны именно вам.
Оставьте отзыв
У вас остались вопросы? Обнаружили ошибку в работе программы или хотите предложить улучшения?
Напишите нам с помощью формы ниже.
E-mail
Имя
Текст отзыва
Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности.
+7 (923) 408-04-08
[email protected]
Томск, Россия

© 2016-2019 50ohm Technologies.

Все материалы сайта (включая графические материалы) принадлежат компании 50ohm Tecnhologies. Любое использование информации о компании и продуктах только при предварительном согласии правообладателя.
Продукты и решения